Kelson D. Chabak: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (44)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Recessed-Gate Enhancement-Mode $\beta $ -Ga2O3 MOSFETs

Chabak, Kelson D., McCandless, Jonathan P., Moser, Neil A., Green, Andrew J., Mahalingam, Krishnamurthy, Crespo, Antonio, Hendricks, Nolan, Howe, Brandon M., Tetlak, Stephen E., Leedy, Kevin, Fitch, R

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.22 MB

english, 2018

In situ transmission electron microscopy of transistor operation and failure

Wang, Baoming, Islam, Zahabul, Haque, Aman, Chabak, Kelson, Snure, Michael, Heller, Eric, Glavin, Nicholas

Журнал:

Nanotechnology

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 513 KB

english, 2018

AlInN HEMT grown on SiC by metalorganic vapor phase epitaxy for millimeter-wave applications

Shiping Guo, Xiang Gao, Daniel Gorka, Jinwoork W. Chung, Han Wang, Tomas Palacios, Antonio Crespo, James K. Gillespie, Kelson Chabak, Manuel Trejo, Virginia Miller, Mark Bellot, Glen Via, Mauricio Kos

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 568 KB

english, 2010

Progress towards III-nitrides HEMTs on free-standing diamond substrates for thermal management

Manuel Trejo, Gregg H. Jessen, Kelson D. Chabak, James K. Gillespie, Antonio Crespo, Mauricio Kossler, Virginia Trimble, Derrick Langley, Eric R. Heller, Bruce Claflin, Dennis E. Walker, Brian Poling,

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 767 KB

english, 2011

[IEEE 2010 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) - Monterey, CA, USA (2010.10.3-2010.10.6)] 2010 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) - Comparative Study of AlGaN/GaN HEMTs on Free-Standing Diamond and Silicon Substrates for Thermal Effects

Trejo, Manuel, Chabak, Kelson D., Poling, Brian, Gilbert, Ryan, Crespo, Antonio, Gillespie, James K., Kossler, Mauricio, Walker, Dennis E., Via, Glen D., Jessen, Gregg H., Francis, Daniel, Faili, Firo

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 735 KB

english, 2010

Strained AlInN/GaN HEMTs on SiC With 2.1-A/mm Output Current and 104-GHz Cutoff Frequency

Chabak, Kelson D, Trejo, Manuel, Crespo, Antonio, Walker, Dennis E, Jinwei Yang,, Gaska, Remis, Kossler, Mauricio, Gillespie, James K, Jessen, Gregg H, Trimble, Virginia, Via, Glen D

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 136 KB

english, 2010

High-Performance AlN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate With an Oxidized Gate Insulator

Chabak, Kelson D., Walker, Dennis E., Johnson, Michael R., Crespo, Antonio, Dabiran, Amir M., Smith, David J., Wowchak, Andrew M., Tetlak, Stephen K., Kossler, Mauricio, Gillespie, James K., Fitch, Ro

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 2011

[IEEE 2014 72nd Annual Device Research Conference (DRC) - Santa Barbara, CA, USA (2014.6.22-2014.6.25)] 72nd Device Research Conference - RF performance of 3D III-V nanowire T-Gate HEMTs grown by VLS method

Chabak, Kelson D., Miao, Xin, Zhang, Chen, Walker, Dennis E., Li, Xiuling

Рік:

2014

Файл:

PDF, 407 KB

2014

[IEEE 2011 International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) - Beijing, China (2011.11.30-2011.12.2)] 2011 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology - Scaling and high-frequency performance of AlN/GaN HEMTs

Luo, Xi, Halder, Subrata, Curtice, Walter R., Hwang, James C. M., Chabak, Kelson D., Walker, Dennis E., Dabiran, Amir M.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 261 KB

english, 2011

III-V Junctionless Gate-All-Around Nanowire MOSFETs for High Linearity Low Power Applications

Song, Yi, Zhang, Chen, Dowdy, Ryan, Chabak, Kelson, Mohseni, Parsian K., Choi, Wonsik, Li, Xiuling

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.11 MB

english, 2014

Dependence on proton energy of degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Liu, Lu, Lo, Chien-Fong, Xi, Yuyin, Wang, Yuxi, Ren, Fan, Pearton, Stephen J., Kim, Hong-Yeol, Kim, Jihyun, Fitch, Robert C., Walker, Dennis E., Chabak, Kelson D., Gillespie, James K., Tetlak, Stephen

Журнал:

Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.56 MB

english, 2013

High-Speed Planar GaAs Nanowire Arrays with f max > 75 GHz by Wafer-Scale Bottom-up Growth

Miao, Xin, Chabak, Kelson, Zhang, Chen, K. Mohseni, Parsian, Walker, Dennis, Li, Xiuling

Журнал:

Nano Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.64 MB

english, 2015

RF Performance of Planar III–V Nanowire-Array Transistors Grown by Vapor–Liquid–Solid Epitaxy

Chabak, Kelson D., Miao, Xin, Zhang, Chen, Walker, Dennis E., Mohseni, Parsian K., Li, Xiuling

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 694 KB

english, 2015

SMALL SIGNAL AND DC CHARACTERISTICS OF ULTRA-THIN GaN/AlN/GaN HFETs

CHABAK, KELSON D., WALKER, DENNIS E., CRESPO, ANTONIO, TREJO, MANUEL, KOSSLER, MAURICIO, TETLAK, STEVE, GILLESPIE, JAMES K., FITCH, ROBERT C., VIA, GLEN D., DABIRAN, AMIR, WOWCHAK, A.M., CHOW, P.P.

Журнал:

International Journal of High Speed Electronics and Systems

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.91 MB

english, 2011

[IEEE 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC) - Columbus, OH, USA (2015.6.21-2015.6.24)] 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC) - InP FinFETs with damage-free and record high-aspect-ratio (45∶1) fins fabricated by metal-assisted chemical etching

Song, Yi, Mohseni, Parsian K., Kim, Seung Hyun, Shin, Jae Cheol, Zhang, Chen, Chabak, Kelson, Li, Xiuling

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 747 KB

english, 2015

Dislocations as quantum wires: Buffer leakage in AlGaN/GaN heterostructures

Reynolds, C. Lewis, Reynolds, Judith G., Crespo, Antonio, Gillespie, James K., Chabak, Kelson D., Davis, Robert F.

Журнал:

Journal of Materials Research

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 375 KB

english, 2013

3.8 MV/cm Breakdown Strength of MOVPE-Grown Sn-doped β-Ga2O3 MOSFETs

Green, Andrew J., Chabak, Kelson D., Heller, Eric R., Fitch, Robert C., Baldini, Michele, Fiedler, Andreas, Irmscher, Klaus, Wagner, Gunter, Galazka, Zbigniew, Tetlak, Stephen E., Crespo, Antonio, Lee

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 605 KB

english, 2016

[IEEE 2016 74th Annual Device Research Conference (DRC) - Newark, DE, USA (2016.6.19-2016.6.22)] 2016 74th Annual Device Research Conference (DRC) - Investigation of thermal effects in β-Ga2O3 MOSFET using pulsed IV

Moser, Neil A., Crespo, Antonio, Tetlak, Stephen E., Green, Andrew J., Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 289 KB

english, 2016

[IEEE 2016 74th Annual Device Research Conference (DRC) - Newark, DE, USA (2016.6.19-2016.6.22)] 2016 74th Annual Device Research Conference (DRC) - DC and RF characterizations of AlGaN/GaN MOSHEMTs with deep sub-micron T-gates and atomic layer epitaxy MgCaO as gate dielectric

Zhou, Hong, Sutherlin, Karynn, Lou, Xiabing, Kim, Sang Bok, Chabak, Kelson D., Gordon, Roy G., Ye, Peide D.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 943 KB

english, 2016

Enhancement-mode Ga 2 O 3 wrap-gate fin field-effect transistors on native (100) β -Ga 2 O 3 substrate with high breakdown voltage

Chabak, Kelson D., Moser, Neil, Green, Andrew J., Walker, Dennis E., Tetlak, Stephen E., Heller, Eric, Crespo, Antonio, Fitch, Robert, McCandless, Jonathan P., Leedy, Kevin, Baldini, Michele, Wagner,

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.29 MB

english, 2016

High pulsed current density β -Ga 2 O 3 MOSFETs verified by an analytical model corrected for interface charge

Moser, Neil A., McCandless, Jonathan P., Crespo, Antonio, Leedy, Kevin D., Green, Andrew J., Heller, Eric R., Chabak, Kelson D., Peixoto, Nathalia, Jessen, Gregg H.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.16 MB

english, 2017

β-Ga2O3 MOSFETs for Radio Frequency Operation

Green, Andrew J., Chabak, Kelson D., Baldini, Michele, Moser, Neil, Gilbert, Ryan C., Fitch, Robert, Wagner, Gunter, Galazka, Zbigniew, Mccandless, Jonathan, Crespo, Antonio, Leedy, Kevin, Jessen, Gre

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 478 KB

english, 2017

Ge-doped β-Ga2O3 MOSFETs

Moser, Neil, Mccandless, Jonathan, Crespo, Antonio, Leedy, Kevin, Green, Andrew, Neal, Adam, Mou, Shin, Ahmadi, Elaheh, Speck, James, Chabak, Kelson, Peixoto, Nathalia, Jessen, Gregg

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 733 KB

english, 2017

Highly conductive homoepitaxial Si-doped Ga 2 O 3 films on (010) β-Ga 2 O 3 by pulsed laser deposition

Leedy, Kevin D., Chabak, Kelson D., Vasilyev, Vladimir, Look, David C., Boeckl, John J., Brown, Jeff L., Tetlak, Stephen E., Green, Andrew J., Moser, Neil A., Crespo, Antonio, Thomson, Darren B., Fitc

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.88 MB

english, 2017

A Review of III-V Planar Nanowire Arrays: Selective Lateral VLS Epitaxy and 3D Transistors

zhang, chen, miao, xin, chabak, kelson, Li, Xiuling

Журнал:

Journal of Physics D Applied Physics

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.30 MB

english, 2017

Enhancement-Mode AlGaN/GaN fin-MOSHEMTs on Si Substrate with Atomic Layer Epitaxy MgCaO

Zhou, Hong, Lou, Xiabing, Kim, Sang Bok, Chabak, Kelson D., Gordon, Roy G., Ye, Peide D.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 576 KB

english, 2017

[IEEE 2017 75th Device Research Conference (DRC) - South Bend, IN, USA (2017.6.25-2017.6.28)] 2017 75th Annual Device Research Conference (DRC) - Toward realization of Ga2O3 for power electronics applications

Jessen, Gregg, Chabak, Kelson, Green, Andy, McCandless, Jonathan, Tetlak, Steve, Leedy, Kevin, Fitch, Robert, Mou, Shin, Heller, Eric, Badescu, Stefan, Crespo, Antonio, Moser, Neil

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 887 KB

english, 2017

Incomplete Ionization of a 110 meV Unintentional Donor in β-Ga2O3 and its Effect on Power Devices

Neal, Adam T., Mou, Shin, Lopez, Roberto, Li, Jian V., Thomson, Darren B., Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.

Журнал:

Scientific Reports

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.63 MB

english, 2017

Flexible Gallium Nitride for High-Performance, Strainable Radio-Frequency Devices

Glavin, Nicholas R., Chabak, Kelson D., Heller, Eric R., Moore, Elizabeth A., Prusnick, Timothy A., Maruyama, Benji, Walker, Dennis E., Dorsey, Donald L., Paduano, Qing, Snure, Michael

Журнал:

Advanced Materials

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.72 MB

english, 2017

Flexible Gallium Nitride: Flexible Gallium Nitride for High-Performance, Strainable Radio-Frequency Devices (Adv. Mater. 47/2017)

Glavin, Nicholas R., Chabak, Kelson D., Heller, Eric R., Moore, Elizabeth A., Prusnick, Timothy A., Maruyama, Benji, Walker, Dennis E., Dorsey, Donald L., Paduano, Qing, Snure, Michael

Журнал:

Advanced Materials

Рік:

2017

Файл:

PDF, 893 KB

2017

[IEEE 2017 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) - Miami, FL, USA (2017.10.22-2017.10.25)] 2017 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS) - Gallium oxide technologies and applications

Jessen, Gregg, Chabak, Kelson, Green, Andrew, Moser, Neil, McCandless, Jonathan, Leedy, Kevin, Crespo, Antonio, Tetlak, Steve

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 418 KB

english, 2017

DC and RF Performance of AlGaN/GaN/SiC MOSHEMTs With Deep Sub-Micron T-Gates and Atomic Layer Epitaxy MgCaO as Gate Dielectric

Zhou, Hong, Lou, Xiabing, Sutherlin, Karynn, Summers, Jarren, Kim, Sang Bok, Chabak, Kelson D., Gordon, Roy G., Ye, Peide D.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 890 KB

english, 2017

Demonstration of high mobility and quantum transport in modulation-doped β-(Al x Ga 1-x ) 2 O 3 /Ga 2 O 3 heterostructures

Zhang, Yuewei, Neal, Adam, Xia, Zhanbo, Joishi, Chandan, Johnson, Jared M., Zheng, Yuanhua, Bajaj, Sanyam, Brenner, Mark, Dorsey, Donald, Chabak, Kelson, Jessen, Gregg, Hwang, Jinwoo, Mou, Shin, Herem

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.31 MB

english, 2018

Donors and deep acceptors in β-Ga 2 O 3

Neal, Adam T., Mou, Shin, Rafique, Subrina, Zhao, Hongping, Ahmadi, Elaheh, Speck, James S., Stevens, Kevin T., Blevins, John D., Thomson, Darren B., Moser, Neil, Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 900 KB

english, 2018

Si content variation and influence of deposition atmosphere in homoepitaxial Si-doped β-Ga 2 O 3 films by pulsed laser deposition

Leedy, Kevin D., Chabak, Kelson D., Vasilyev, Vladimir, Look, David C., Mahalingam, Krishnamurthy, Brown, Jeff L., Green, Andrew J., Bowers, Cynthia T., Crespo, Antonio, Thomson, Darren B., Jessen, Gr

Журнал:

APL Materials

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.78 MB

english, 2018

Nanoscale groove textured β-Ga 2 O 3 by room temperature inverse metal-assisted chemical etching and photodiodes with enhanced responsivity

Kim, Munho, Huang, Hsien-Chih, Kim, Jeong Dong, Chabak, Kelson D., Kalapala, Akhil Raj Kumar, Zhou, Weidong, Li, Xiuling

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.06 MB

english, 2018

High Aspect Ratio β-Ga 2 O 3 Fin Arrays with Low Interface Charge Density by Inverse Metal-Assisted Chemical Etching

Huang, Hsien-Chih, Kim, Munho, Zhan, Xun, Chabak, Kelson, Kim, Jeong Dong, Kvit, Alexander, Liu, Dong, Ma, Zhenqiang, Zuo, Jian-Min, Li, Xiuling

Журнал:

ACS Nano

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.73 MB

english, 2019

Lateral β-Ga2O3 field effect transistors

Chabak, Kelson, Leedy, Kevin, Green, Andrew, Mou, Shin, Neal, Adam, Asel, Thaddeus, Heller, Eric, Hendricks, Nolan, Lindquist, Miles, Crespo, Antonio, Miller, Nicholas, Liddy, Kyle, Moser, Neil, Fitch

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.59 MB

english, 2019

Lateral β-Ga2O3 field effect transistors

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2019

Файл:

PDF, 1.59 MB

2019

[IEEE 2019 Compound Semiconductor Week (CSW) - Nara, Japan (2019.5.19-2019.5.23)] 2019 Compound Semiconductor Week (CSW) - On the Surface Properties of High Aspect Ratio $\beta$-Ga 2 O 3 Fin Structures Formed by I-MacEtch

Huang, Hsien-Chih, Kim, Munho, Zhan, Xun, Chabak, Kelson, Kim, Jeongdong, Zuo, Jian-min, Li, Xiuling

Рік:

2019

Файл:

PDF, 688 KB

2019

[IEEE 2019 Compound Semiconductor Week (CSW) - Nara, Japan (2019.5.19-2019.5.23)] 2019 Compound Semiconductor Week (CSW) - Pulsed RF Power Measurements of Laterally Scaled Ga 2 O 3 FETs

Jessen, Gregg, Chabak, Kelson, Green, Andrew, Moser, Neil, Leedy, Kevin, Walker, Dennis, Crespo, Antonio, Lindquist, Miles, Zwyth, Peter, Gilbert, Ryan

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 743 KB

english, 2019

[IEEE 2019 Device Research Conference (DRC) - Ann Arbor, MI, USA (2019.6.23-2019.6.26)] 2019 Device Research Conference (DRC) - Self-Aligned Gate Thin-Channel Î²-Ga 2 O 3 MOSFETs

Liddy, Kyle J., Hendricks, Nolan S., Green, Andrew J., Popp, Andreas, Lindquist, Miles T., Leedy, Kevin D., Tetlak, Stephen E., Moser, Neil A., Wagner, Gunter, Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.

Рік:

2019

Файл:

PDF, 9.85 MB

2019

Transferrable AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors to Arbitrary Substrates via a Two-Dimensional Boron Nitride Release Layer

Motala, Michael J., Blanton, Eric W., Hilton, Albert, Heller, Eric, Muratore, Christopher, Burzynski, Katherine, Brown, Jeff L., Chabak, Kelson, Durstock, Michael, Snure, Michael, Glavin, Nicholas R.

Журнал:

ACS Applied Materials & Interfaces

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.20 MB

2020

Toward high voltage radio frequency devices in Î² -Ga 2 O 3

Moser, Neil, Liddy, Kyle, Islam, Ahmad, Miller, Nicholas, Leedy, Kevin, Asel, Thaddeus, Mou, Shin, Green, Andrew, Chabak, Kelson

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.41 MB

2020